多晶硅棒热破碎装置人们发现了半导体

多晶硅棒热破碎装置,人们发现了半导体,Dec 16, 2010 多晶硅生产工艺学 半导体材料是电子技术的基础,早在十九世纪末,人们就发现了半导体材料,而真正实用还是从二十世纪四十代开始的,五十代以后锗为主,由于锗晶体管大量生产、应用,促进了半导体 人工砂化学成分 破碎机器设备,磨粉机器,华人摘要: 本发明公开了电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置,所述装置包括:传送单元;加热仓,所述加热仓的相对两个侧面上设有仓口,所述传送单元通过所述仓口可移动地多晶硅棒热破碎装置人们发现了半导体

光伏多晶硅料为何需要破碎?如何破碎?技术资讯中国粉体网,U型多晶硅棒 待破碎的多晶硅棒 初步破碎后的多晶硅 多晶硅棒破碎是多晶硅后处理工序中相对独立的环节,将其破碎成块状或较小的结构,其主要目的就是将硅原料棒加工成下游厂家生产所需要规格的块状硅体商品。工业应用领域的多晶硅产品通常为块状。polycrystalline silicon 熔 点 1410 ℃ 沸 点 2355 ℃ 水溶性 不溶于水、硝酸和盐酸 密 度 232 至 234 g/cm³ 目录 1 理化性质 2 用途 3 生产技术 西门子法 硅烷法 冶金法 4 产生废气 5 应用价值 6 行业发展 国际产业 国内产业 7 生产问题 8 附录 理化性质 播报 多晶硅(polycrystalline silicon)有灰色金属光泽,密度232~234g/cm 3 。 熔 多晶硅百度百科

一种水爆破碎多晶硅料的方法 百度学术,西安华晶电子技术股份有限公司 发明人: 李建军 国省代号: CN 摘要: 本发明公开了一种水爆破碎多晶硅料的方法,该方法的具体过程为:将原生硅多晶硅棒料置于高真空熔炼炉内并抽真空,然后通入氩气并加热保温后随炉冷却,将冷却的装载原生硅多晶硅棒料的装料框进行流动水冷却,得到表面产生裂纹的原生硅多晶硅棒料,再进行对碰破碎后分选,得到尺寸 为实现生产出更大外径的硅圆片,包括制造装置的厂家在内,对于制造厂家(生产硅圆片)和使用厂家(生产半导体IC)双方,都存在诸多问题和课题。而且,在新一代大外径硅圆片上,要用最先进的技术制造更高集成度的复杂IC。从多晶硅到单晶硅棒再到晶圆的工艺流程

多晶硅棒破碎系统及破碎方法与流程 X技术网,背景技术: 2多晶硅是生产太阳能电池、半导体元件的基础材料。 目前多晶硅的主流制备过程包括:将冶金级硅粉通过改良西门子法,在cvd反应器中采用硅芯载体电加热的方式,气相沉积制得多晶硅棒,多晶硅棒经破碎获得块状硅材料用于拉制单晶硅棒。 多晶硅棒破碎过程的污染问题是企业关注的一个焦点。 目前多晶硅破碎主要由人工或机 1955,德国西门子开发出以氢气(H2)还原高纯度三氯氢硅(SiHCl3),在加热到1100℃左右的硅芯(也称“硅棒”)上沉积多晶硅的生产工艺;1957,这种多晶硅生产工艺开始应用于工业化生产,被外界称为“ 西门子法 ”。 由于西门子法生产 多晶硅研究系列1:三大生产工艺的比较 1多晶硅的生产工艺

电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置与流程,22 (2)通过抽真空口将所述加热仓内的空气排空,充入保护气体; 23 (3)启动加热器,将多晶硅棒料加热至5001000℃; 24 (4)打开所述仓门,通过所述传送单元将加热完成的所述多晶硅棒传送出所述加热仓。 25根据本发明上述实施例的加热方法,通过传送 电子级多晶硅棒热破碎方法与流程 1本技术涉及多晶硅领域,具体地,涉及电子级多晶硅棒热破碎方法。 2在多晶硅行业中,气相沉积法生产的电子级多晶硅为体积较大的棒状料,供给下游使用需要先破碎成块状,因为电子级多晶硅纯度要求极高,所以杂质电子级多晶硅棒热破碎方法与流程 X技术网

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一种水爆破碎多晶硅料的方法 百度学术,西安华晶电子技术股份有限公司 发明人: 李建军 国省代号: CN 摘要: 本发明公开了一种水爆破碎多晶硅料的方法,该方法的具体过程为:将原生硅多晶硅棒料置于高真空熔炼炉内并抽真空,然后通入氩气并加热保温后随炉冷却,将冷却的装载原生硅多晶硅棒料的装料框进行流动水冷却,得到表面产生裂纹的原生硅多晶硅棒料,再进行对碰破碎后分选,得到尺寸 为实现生产出更大外径的硅圆片,包括制造装置的厂家在内,对于制造厂家(生产硅圆片)和使用厂家(生产半导体IC)双方,都存在诸多问题和课题。而且,在新一代大外径硅圆片上,要用最先进的技术制造更高集成度的复杂IC。从多晶硅到单晶硅棒再到晶圆的工艺流程

多晶硅棒破碎系统及破碎方法与流程 X技术网背景技术: 2多晶硅是生产太阳能电池、半导体元件的基础材料。 目前多晶硅的主流制备过程包括:将冶金级硅粉通过改良西门子法,在cvd反应器中采用硅芯载体电加热的方式,气相沉积制得多晶硅棒,多晶硅棒经破碎获得块状硅材料用于拉制单晶硅棒。 多晶硅棒破碎过程的污染问题是企业关注的一个焦点。 目前多晶硅破碎主要由人工或机 1955,德国西门子开发出以氢气(H2)还原高纯度三氯氢硅(SiHCl3),在加热到1100℃左右的硅芯(也称“硅棒”)上沉积多晶硅的生产工艺;1957,这种多晶硅生产工艺开始应用于工业化生产,被外界称为“ 西门子法 ”。 由于西门子法生产 多晶硅研究系列1:三大生产工艺的比较 1多晶硅的生产工艺

电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置与流程22 (2)通过抽真空口将所述加热仓内的空气排空,充入保护气体; 23 (3)启动加热器,将多晶硅棒料加热至5001000℃; 24 (4)打开所述仓门,通过所述传送单元将加热完成的所述多晶硅棒传送出所述加热仓。 25根据本发明上述实施例的加热方法,通过传送 电子级多晶硅棒热破碎方法与流程 1本技术涉及多晶硅领域,具体地,涉及电子级多晶硅棒热破碎方法。 2在多晶硅行业中,气相沉积法生产的电子级多晶硅为体积较大的棒状料,供给下游使用需要先破碎成块状,因为电子级多晶硅纯度要求极高,所以杂质电子级多晶硅棒热破碎方法与流程 X技术网

多晶硅棒热破碎装置,人们发现了半导体Dec 16, 2010 多晶硅生产工艺学 半导体材料是电子技术的基础,早在十九世纪末,人们就发现了半导体材料,而真正实用还是从二十世纪四十代开始的,五十代以后锗为主,由于锗晶体管大量生产、应用,促进了半导体 人工砂化学成分 破碎机器设备,磨粉机器,华人摘要: 本发明公开了电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置,所述装置包括:传送单元;加热仓,所述加热仓的相对两个侧面上设有仓口,所述传送单元通过所述仓口可移动地多晶硅棒热破碎装置人们发现了半导体

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一种水爆破碎多晶硅料的方法 百度学术,西安华晶电子技术股份有限公司 发明人: 李建军 国省代号: CN 摘要: 本发明公开了一种水爆破碎多晶硅料的方法,该方法的具体过程为:将原生硅多晶硅棒料置于高真空熔炼炉内并抽真空,然后通入氩气并加热保温后随炉冷却,将冷却的装载原生硅多晶硅棒料的装料框进行流动水冷却,得到表面产生裂纹的原生硅多晶硅棒料,再进行对碰破碎后分选,得到尺寸 为实现生产出更大外径的硅圆片,包括制造装置的厂家在内,对于制造厂家(生产硅圆片)和使用厂家(生产半导体IC)双方,都存在诸多问题和课题。而且,在新一代大外径硅圆片上,要用最先进的技术制造更高集成度的复杂IC。从多晶硅到单晶硅棒再到晶圆的工艺流程

多晶硅棒破碎系统及破碎方法与流程 X技术网,背景技术: 2多晶硅是生产太阳能电池、半导体元件的基础材料。 目前多晶硅的主流制备过程包括:将冶金级硅粉通过改良西门子法,在cvd反应器中采用硅芯载体电加热的方式,气相沉积制得多晶硅棒,多晶硅棒经破碎获得块状硅材料用于拉制单晶硅棒。 多晶硅棒破碎过程的污染问题是企业关注的一个焦点。 目前多晶硅破碎主要由人工或机 1955,德国西门子开发出以氢气(H2)还原高纯度三氯氢硅(SiHCl3),在加热到1100℃左右的硅芯(也称“硅棒”)上沉积多晶硅的生产工艺;1957,这种多晶硅生产工艺开始应用于工业化生产,被外界称为“ 西门子法 ”。 由于西门子法生产 多晶硅研究系列1:三大生产工艺的比较 1多晶硅的生产工艺

电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置与流程,22 (2)通过抽真空口将所述加热仓内的空气排空,充入保护气体; 23 (3)启动加热器,将多晶硅棒料加热至5001000℃; 24 (4)打开所述仓门,通过所述传送单元将加热完成的所述多晶硅棒传送出所述加热仓。 25根据本发明上述实施例的加热方法,通过传送 电子级多晶硅棒热破碎方法与流程 1本技术涉及多晶硅领域,具体地,涉及电子级多晶硅棒热破碎方法。 2在多晶硅行业中,气相沉积法生产的电子级多晶硅为体积较大的棒状料,供给下游使用需要先破碎成块状,因为电子级多晶硅纯度要求极高,所以杂质电子级多晶硅棒热破碎方法与流程 X技术网

多晶硅棒热破碎装置,人们发现了半导体,Dec 16, 2010 多晶硅生产工艺学 半导体材料是电子技术的基础,早在十九世纪末,人们就发现了半导体材料,而真正实用还是从二十世纪四十代开始的,五十代以后锗为主,由于锗晶体管大量生产、应用,促进了半导体 人工砂化学成分 破碎机器设备,磨粉机器,华人摘要: 本发明公开了电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置,所述装置包括:传送单元;加热仓,所述加热仓的相对两个侧面上设有仓口,所述传送单元通过所述仓口可移动地多晶硅棒热破碎装置人们发现了半导体

一种水爆破碎多晶硅料的方法 百度学术,西安华晶电子技术股份有限公司 发明人: 李建军 国省代号: CN 摘要: 本发明公开了一种水爆破碎多晶硅料的方法,该方法的具体过程为:将原生硅多晶硅棒料置于高真空熔炼炉内并抽真空,然后通入氩气并加热保温后随炉冷却,将冷却的装载原生硅多晶硅棒料的装料框进行流动水冷却,得到表面产生裂纹的原生硅多晶硅棒料,再进行对碰破碎后分选,得到尺寸 为实现生产出更大外径的硅圆片,包括制造装置的厂家在内,对于制造厂家(生产硅圆片)和使用厂家(生产半导体IC)双方,都存在诸多问题和课题。而且,在新一代大外径硅圆片上,要用最先进的技术制造更高集成度的复杂IC。从多晶硅到单晶硅棒再到晶圆的工艺流程

多晶硅棒破碎系统及破碎方法与流程 X技术网,背景技术: 2多晶硅是生产太阳能电池、半导体元件的基础材料。 目前多晶硅的主流制备过程包括:将冶金级硅粉通过改良西门子法,在cvd反应器中采用硅芯载体电加热的方式,气相沉积制得多晶硅棒,多晶硅棒经破碎获得块状硅材料用于拉制单晶硅棒。 多晶硅棒破碎过程的污染问题是企业关注的一个焦点。 目前多晶硅破碎主要由人工或机 1955,德国西门子开发出以氢气(H2)还原高纯度三氯氢硅(SiHCl3),在加热到1100℃左右的硅芯(也称“硅棒”)上沉积多晶硅的生产工艺;1957,这种多晶硅生产工艺开始应用于工业化生产,被外界称为“ 西门子法 ”。 由于西门子法生产 多晶硅研究系列1:三大生产工艺的比较 1多晶硅的生产工艺

电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置与流程22 (2)通过抽真空口将所述加热仓内的空气排空,充入保护气体; 23 (3)启动加热器,将多晶硅棒料加热至5001000℃; 24 (4)打开所述仓门,通过所述传送单元将加热完成的所述多晶硅棒传送出所述加热仓。 25根据本发明上述实施例的加热方法,通过传送 电子级多晶硅棒热破碎方法与流程 1本技术涉及多晶硅领域,具体地,涉及电子级多晶硅棒热破碎方法。 2在多晶硅行业中,气相沉积法生产的电子级多晶硅为体积较大的棒状料,供给下游使用需要先破碎成块状,因为电子级多晶硅纯度要求极高,所以杂质电子级多晶硅棒热破碎方法与流程 X技术网

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